Trinno Technologies wurde im Jahre 2008 als Mitglied der LG-Gruppe in Korea gegründet. Der Hersteller fokussiert sich auf Silizium IGBT- und Diodentechnologien höherer Leistung in Spannungsbereichen beginnend ab 600V bis 1600V in Diskreter- und Modulbauweise.
Trinno unterstützt ebenfalls kommerzielle Wafer um den Anwendern größtmögliche Design- und Entwicklungsflexibilität in der Applikation geben zu können. Dabei können je nach Anforderung und Produktkomplexität eine Vielzahl von spezifischen Test- und Qualifizierungsoptionen durchgeführt werden.
Die Trinno Design- und Backend-Wafer Herstellungsprozesse erfolgen in eigenen R&D Labors und auf eigenem Equipment, vorwiegend in 60µm Dünnschichttechnologie. Die Prozessse sind gemäß ISO9001, ISO14001 und TS16949 zertifiziert.
Durch die tiefe technologische Ausrichtung und der engen Zusammenarbeit mit anderen namhaften Halbleiterspezialisten wie der koreanischen iA Group ist Trinno Technologies in seinen Zielmärkten Industrie, Automotive, Medizin und Consumer sehr wettbewerbsfähig.

• Discrete IGBT
• Discrete Diode
• Discrete SiC Diode
• Discrete SiC Mosfet (under developement)
• Wafer:
  • IGBT
  • Diode