Taixin Electronic wurde als Hightech-Unternehmen von einem Expertenteam für Hochleistungs-Halbleitertechnologien der North China Electric Power University gegründet.
Die Entwicklung und Produktion mit einer Gesamtfläche von insgesamt 30Ha befindet sich im chinesisch-japanischen Industriepark Yantai in direkter Nachbarschaft zu Mitbewerbern wie z.B. der Mitsubishi Electric Company.
Im Jahr 2022 wurde neben den bereits bestehenden Entwicklungs- und Fertigungskapazitäten neue Produktionsstätten von 8000m2 und eine zusätzliche 3.000m2 vollautomatisierte Packaging-Linie in Betrieb genommen.
Sämtliche Entwicklungs-, Testing- und Fertigungsprozesse der IGBTs erfolgen auf eigenen Maschinen und Equipment. Die Serienproduktion im Modulbereich beläuft sich jährlich auf derzeit ca. 2 Millionen Stück.
Produktportfolio
- Discrete IGBT
- Single
- IGBT + FRD
- Discrete Diode
- Single
- Common Cathode / Anode
- SiC Diode
- Module Phaseleg
- Module Serial